Ｓｉ，Ｇｅにおける無容器過冷凝固
Ｓｉ，Ｇｅにおける無容器過冷凝固
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硅、锗无容器过冷凝固
DOI：
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发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
石橋裕輔，米山 覚，永山勝久，栗林一彦
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Ishibashi;K. Kuribayashi and K. Nagayama;河村忠晴，永山勝久;青木駿介，永山勝久;佐藤広大，永山勝久;根岸茂利，永山勝久;新井健太，永山勝久;中原庸平，永山勝久;河村忠晴，永山勝久;Satoru Yoneyama,Kodai Sato,Shigetoshi Negishi,Katsuhisa Nagayama,Kazuhiko Kuribayashi;加藤悠也，永山勝久;飯田真也，永山勝久;青木駿介，永山勝久;栗原明寛，永山勝久;西村優，永山勝久;佐藤広大，米山 覚，永山勝久，栗林一彦;加藤寛隆，永山勝久，M. S. Vijaya Kumar，栗林一彦;根岸茂利，永山勝久，栗林一彦;岩田崇史，永山勝久，増野敦信，井上博之;米山 覚，栗林一彦，永山勝久;米山 覚，永山勝久，栗林一彦;大内良晃，高杉茉美，栗林一彦，永山勝久，M.S.Vijaya Kumar;石橋裕輔，米山 覚，永山勝久，栗林一彦
