Epitaxial insulator for bottom-gate field-effect devices based on TiO2
Epitaxial insulator for bottom-gate field-effect devices based on TiO2
复制标题
用于基于 TiO2 的底栅场效应器件的外延绝缘体
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Masao Katayama
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Takeuchi;M. Shinmei;Masao Katayama
