Ti/Al Based Ohmic Contact to As-Grown N-Polar GaN
Ti/Al Based Ohmic Contact to As-Grown N-Polar GaN
复制标题
Ti/Al 基欧姆接触生长的 N 极 GaN
DOI：
10.1088/0256-307x/32/8/087102
复制
发表时间：
2015-09
影响因子：
3.5
通讯作者：
FENG Zhi-Hong(冯志红), WANG Xian-Bin*(王现彬), WANG Li#
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
FENG Zhi-Hong(冯志红), WANG Xian-Bin*(王现彬), WANG Li#
Ti/Al based Ohmic contacts to as-grown N-polar GaN are investigated by cross-section transmission electron microscopy and energy dispersive x-ray spectroscopy. Due to the higher oxygen background doping in the N-polar GaN, the Al metal in Ohmic stacks is
登录
查看更多内容
影响因子：
4.9
作者：
Su Jin Kim;T. Jeong;Tae Geun Kim
通讯作者：
Su Jin Kim;T. Jeong;Tae Geun Kim
影响因子：
4
作者：
J. Kwak;Kyu-Pil Lee;J. Y. Han;Jaehee Cho;S. Chae;O. Nam;Young-Kwan Park
通讯作者：
J. Kwak;Kyu-Pil Lee;J. Y. Han;Jaehee Cho;S. Chae;O. Nam;Young-Kwan Park
影响因子：
4
作者：
Ho Won Jang;Jung-Hee Lee;Jong‐Lam Lee
通讯作者：
Ho Won Jang;Jung-Hee Lee;Jong‐Lam Lee
影响因子：
3.2
作者：
Liang Wang;F. Mohammed;I. Adesida
通讯作者：
Liang Wang;F. Mohammed;I. Adesida
影响因子：
4
作者：
B. V. Daele;G. Tendeloo;W. Ruythooren;J. Derluyn;M. Leys;M. Germain
通讯作者：
B. V. Daele;G. Tendeloo;W. Ruythooren;J. Derluyn;M. Leys;M. Germain