Vapor-phase epitaxial growth of GaN films using Ga2O vapor and NH3
Vapor-phase epitaxial growth of GaN films using Ga2O vapor and NH3
复制标题
使用 Ga2O 蒸气和 NH3 气相外延生长 GaN 薄膜
DOI：
--
复制
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Mori
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
M. Imade;Y. Bu;T. Sumi;A. Kitamoto;M. Yoshimura;T. Sasaki;Masashi Imsemura;Y. Mori
