Optimal conditions for achieving strong third-order nonlinearity in semiconductor cavities
Optimal conditions for achieving strong third-order nonlinearity in semiconductor cavities
复制标题
在半导体腔中实现强三阶非线性的最佳条件
DOI：
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发表时间：
2005
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Ajiki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
H.Ishihara;H.Mifune;T.Nakatani;H.Ajiki;H.Ajiki;H.Ajiki
