金属埋め込み型半導体ナノピラー共振器における高Q値の発生機構

金属埋め込み型半導体ナノピラー共振器における高Q値の発生機構
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金属嵌入半导体纳米柱谐振器高Q值的产生机制

DOI:
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发表时间:
2014
期刊:
影响因子:
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通讯作者:
 末宗幾夫
 末宗幾夫
中科院分区:
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文献类型:
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作者:
黒澤裕之; 石原渚; 竹本亮; N. A. Jahan; 中島秀朗; 熊野英和; 末宗幾夫

文献摘要

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