Kanji Yasui: "Epitaxial Growth of 3C-SiC Films on Si Substrates by Triode Plasma CVD Using dimethylsilane"Applied Surface Science. 159/160. 556-560 (2000)
Kanji Yasui: "Epitaxial Growth of 3C-SiC Films on Si Substrates by Triode Plasma CVD Using dimethylsilane"Applied Surface Science. 159/160. 556-560 (2000)
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Kanji Yasui：“使用二甲基硅烷通过三极等离子体 CVD 在硅基板上外延生长 3C-SiC 薄膜”应用表面科学。
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