采用MBE外延生长1.6-2.3m InGAAsSb/AlGaAsSb多量子阱的研究

采用MBE外延生长1.6-2.3m InGAAsSb/AlGaAsSb多量子阱的研究
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DOI:
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发表时间:
2011
期刊:
发光学报
影响因子:
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通讯作者:
李占国
李占国
中科院分区:
其他
文献类型:
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作者:
李占国

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