采用MBE外延生长1.6-2.3m InGAAsSb/AlGaAsSb多量子阱的研究
采用MBE外延生长1.6-2.3m InGAAsSb/AlGaAsSb多量子阱的研究
复制标题
DOI:
--
复制
发表时间:
2011
期刊:
影响因子:
--
通讯作者:
李占国
中科院分区:
文献类型:
--
作者:
李占国