J.Ivanco, H.Kobayashi, J.Almeida, G.Margaritondo: "Unpinning of the Au/GaAs interfacial Fermi level by means of ultrathin undoped silicon interlayer inclusion"J.Appl.Phys.. 87. 795 (2000)
J.Ivanco, H.Kobayashi, J.Almeida, G.Margaritondo: "Unpinning of the Au/GaAs interfacial Fermi level by means of ultrathin undoped silicon interlayer inclusion"J.Appl.Phys.. 87. 795 (2000)
复制标题
J.Ivanco、H.Kobayashi、J.Almeida、G.Margaritondo：“通过超薄未掺杂硅夹层夹杂物来解除 Au/GaAs 界面费米能级的固定”J.Appl.Phys.. 87. 795 (2000)
DOI：
--
复制
发表时间：
--
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
