STMを用いた半導体中の単一点欠陥挙動の原子レベル観測
STMを用いた半導体中の単一点欠陥挙動の原子レベル観測
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使用 STM 对半导体中的单点缺陷行为进行原子级观察
DOI：
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发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
目良裕
中科院分区：
文献类型：
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作者：
前田康二;飛田聡;目良裕
