K.Jinushi, H.Okada, T.Hashizume and H.Hasegawa: "Novel GaAs-Based Single Electron Transistors with Schottky In-Plane Gates Operating up to 20K" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 1132-1139 (1996)
K.Jinushi, H.Okada, T.Hashizume and H.Hasegawa: "Novel GaAs-Based Single Electron Transistors with Schottky In-Plane Gates Operating up to 20K" Japanese Journal of Applied Physics. 35. 1132-1139 (1996)
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K.Jinushi、H.Okada、T.Hashizume 和 H.Hasekawa：“新型 GaAs 基单电子晶体管，具有运行速度高达 20K 的肖特基面内栅极”，《日本应用物理学杂志》。
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