T.Hashizume: "Annealing Behavior of HF-Treated GaAs Capped with SiO_2 Films Prepared by 50Hz Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31. 3794-3800 (1992)
T.Hashizume: "Annealing Behavior of HF-Treated GaAs Capped with SiO_2 Films Prepared by 50Hz Plasma Assisted Chemical Vapor Deposition" Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31. 3794-3800 (1992)
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T.Hashizume：“用50Hz等离子体辅助化学气相沉积制备的SiO_2薄膜覆盖的HF处理GaAs的退火行为”Jpn.J.Appl.Phys.Vol.31。
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