High-density GaAs/AlGaAs quantum dots formed on GaAs (311)A substrates by droplet epitaxy
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DOI：
10.1016/j.jcrysgro.2008.11.043
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发表时间：
2009-03
影响因子：
1.8
通讯作者：
T. Mano;T. Kuroda;K. Mitsuishi;T. Noda;K. Sakoda
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Mano;T. Kuroda;K. Mitsuishi;T. Noda;K. Sakoda
