INVESTIGATION OF GROWTH PROCESSES OF INGOTS OF SILICON-CARBIDE SINGLE-CRYSTALS
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DOI：
10.1016/0022-0248(78)90169-0
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发表时间：
1978-01-01
影响因子：
1.8
通讯作者：
TSVETKOV, VF
中科院分区：
文献类型：
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作者：
TAIROV, YM;TSVETKOV, VF
