Direct Identification of Bulk Defects in Low-temperature GaAs Using First-principles STM Simulation for Efficient Terahertz Device Development
Direct Identification of Bulk Defects in Low-temperature GaAs Using First-principles STM Simulation for Efficient Terahertz Device Development
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使用第一原理 STM 模拟直接识别低温 GaAs 中的体缺陷，以实现高效的太赫兹器件开发
DOI：
10.1380/vss.66.4
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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Tani Masahiko
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Escano Mary Clare;Nguyen Tien Quang;Izumi Akihiro;Tani Masahiko
