Ge-channel p-MOSFETs with ZrO2 gate dielectrics
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DOI：
10.1016/j.mee.2005.03.008
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发表时间：
2005-08
影响因子：
2.3
通讯作者：
S. Mandal;S. Chakraborty;C. K. Maiti
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S. Mandal;S. Chakraborty;C. K. Maiti
