神谷 栄二: "「埋もれたシリコン界面の高速イオン散乱法による評価」" 電子情報通信学会技術研究報告. 90ー349. 65-69 (1990)
神谷 栄二: "「埋もれたシリコン界面の高速イオン散乱法による評価」" 電子情報通信学会技術研究報告. 90ー349. 65-69 (1990)
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Eiji Kamiya：“使用快速离子散射方法评估埋入硅界面”IEICE 技术报告 90-349 (1990)。
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