酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成
酸化過程排除プロセスによる高品質4H-SiC/SiO2界面の形成
复制标题
通过氧化过程消除工艺形成高质量的4H-SiC/SiO2界面
DOI：
--
复制
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
木本 恒暢
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
立木 馨大;金子 光顕;小林 拓真;木本 恒暢
