Fermi-level pinning by carrier com- pensating midgap donor defect band in homoepitaxially grown p-type ZnO by MBE
Fermi-level pinning by carrier com- pensating midgap donor defect band in homoepitaxially grown p-type ZnO by MBE
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通过MBE同质外延生长的p型ZnO中载流子补偿中能隙施主缺陷带实现费米能级钉扎
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Harada and K. Ando
中科院分区：
文献类型：
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作者：
T. Masamoto;K. Noda;T. Maejima;R. Natsume;T. Matsuo;A. Akiyama;T. Yukue;S. Hiroe;T. Abe;H. Kasada;Y. Harada and K. Ando
