Low density InAs quantum dots grown on GaAs nanoholes
Low density InAs quantum dots grown on GaAs nanoholes
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DOI：
10.1063/1.2244043
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发表时间：
2006-07-24
影响因子：
4
通讯作者：
Salamo, G. J.
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Liang, B. L.;Wang, Zh. M.;Salamo, G. J.
发展了一种液滴外延和分子束外延相结合的生长技术，以获得低密度的InAs量子点(量子点)。这种生长技术简单、灵活，不需要额外的衬底处理。通过液滴外延实现了对量子点密度的控制，通过分子束外延生长实现了对量子点质量的单独控制。在这封信中，作者报道了使用这种技术来制备低密度2.7×10(8)cm(-2)以及良好的光致发光性能的InAs量子点。所得样品适用于单量子点器件的制作和应用。(C)2006年美国物理研究所。
A growth technique combining droplet epitaxy and molecular beam epitaxy (MBE) is developed to obtain a low density of InAs quantum dots (QDs) on GaAs nanoholes. This growth technique is simple, flexible, and does not require additional substrate processing. It makes possible separate control of the QD density via droplet epitaxy and the QD quality via MBE growth. In this letter the authors report the use of this technique to produce InAs QDs with a low density of 2.7x10(8) cm(-2) as well as good photoluminescence properties. The resulting samples are suitable for single QD device fabrication and applications. (c) 2006 American Institute of Physics.