Source-induced RDF Overwhelms RTN in Nanowire Transistor: Statistical Analysis with Full Device EMC/MD Simulation
Source-induced RDF Overwhelms RTN in Nanowire Transistor: Statistical Analysis with Full Device EMC/MD Simulation
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纳米线晶体管中源感应 RDF 压倒 RTN：通过全器件 EMC/MD 仿真进行统计分析
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and Takanobu Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Akito Suzuki;Takefumi Kamioka;Yoshinari Kamakura;Kenji Ohmori, Keisaku Yamada;and Takanobu Watanabe
