酸素欠陥型抵抗変化メモリにおける欠陥導入層の材料選択
酸素欠陥型抵抗変化メモリにおける欠陥導入層の材料選択
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氧缺陷型电阻变化存储器中缺陷引入层的材料选择
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
高橋 庸夫
中科院分区：
文献类型：
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作者：
中川 良祐;福地 厚;有田 正志;高橋 庸夫
