Understanding of Bias-Temperature Instability due to Mobile Ions in SiC Metal-Oxide-Semiconductor Devices
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了解 SiC 金属氧化物半导体器件中移动离子引起的偏压温度不稳定性
DOI：
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发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and H. Watanabe
中科院分区：
文献类型：
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作者：
A. Chanthaphan;Y. Nakano;T. Nakamura;T. Hosoi;T. Shimura;and H. Watanabe
