多重積層 InGaAs 半導体量子ドットの発行 特性評価"
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多层InGaAs半导体量子点的制备及表征
DOI：
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发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
山田諄 他
中科院分区：
文献类型：
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作者：
五島敬史郎;津田紀生;山田諄 他
