K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama, T.Nishino: "Role of carrier lonlization in energy up-conversion at (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.51>In_<0.49>P/GaAs heterointerface" Proc. Electronic Materials Sympasium. 16th. 101-103 (1997)
K.Yamashita, T.Kita, H.Nakayama, T.Nishino: "Role of carrier lonlization in energy up-conversion at (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.51>In_<0.49>P/GaAs heterointerface" Proc. Electronic Materials Sympasium. 16th. 101-103 (1997)
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K.Yamashita、T.Kita、H.Nakayama、T.Nishino：“载流子离子化在 (Al_<0.5>Ga_<0.5>)_<0.51>In_<0.49>P/GaAs 异质界面能量上转换中的作用”
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