Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with GeCore on Their Electrical Charging Characteristics
Impact of impurity Doping into Si Quantum Dots with GeCore on Their Electrical Charging Characteristics
复制标题
GeCore硅量子点杂质掺杂对其充电特性的影响
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
S. Higashi and S. Miyazaki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Makihara;M. Ikeda;S. Higashi and S. Miyazaki
