Role of defect relaxation for trap-assisted tunneling in high-κ thin films: A first-principles kinetic Monte Carlo study

Role of defect relaxation for trap-assisted tunneling in high-κ thin films: A first-principles kinetic Monte Carlo study
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高δ薄膜中缺陷弛豫对陷阱辅助隧道效应的作用:第一性原理动力学蒙特卡罗研究

DOI:
10.1103/physrevb.85.045303
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发表时间:
2012
期刊:
影响因子:
3.7
通讯作者:
A. Kersch
A. Kersch
中科院分区:
物理与天体物理2区
文献类型:
--
作者:
G. Jegert;D. Popescu;P. Lugli;M. J. Häufel;W. Weinreich;A. Kersch

文献摘要

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