Photoemission study of the electronic structure of a (GaAs)2/(AlAs)2 superlattice.
Photoemission study of the electronic structure of a (GaAs)2/(AlAs)2 superlattice.
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(GaAs)2/(AlAs)2 超晶格电子结构的光电研究。
DOI：
10.1103/physrevb.44.3787
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发表时间：
1991
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Ley
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Cai;Riley;Leckey;Usher;Fraxedas;Ley
我们报告了短周期超晶格 (GaAs) 2/(AlAs) 2 电子结构的角度分辨光电子研究结果。这些结果支持 Gopalan 等人的第一原理线性松饼锡轨道方法计算。特别是，在 5.3 eV 的结合能（相对于价带最大值）处，可以清楚地看到由 [001] 生长方向的周期性减小引起的 0.5 eV 带隙。
We report results from an angle-resolved photoemission study of the electronic structure of the short-period superlattice (GaAs) 2/(AlAs) 2. These results support the first-principles linear-muffin-tin-orbital-method calculation of Gopalan et al. In particular, a 0.5-eV band gap caused by the reduced periodicity in the [001] growth direction is clearly seen at a binding energy (relative to the valence-band maximum) of 5.3 eV.