Fabrication of Low-Resistive Amorphous In2O3 :Sn Films at 600°C by Magnetron Sputtering Using Nitrogen
Fabrication of Low-Resistive Amorphous In2O3 :Sn Films at 600°C by Magnetron Sputtering Using Nitrogen
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氮气磁控溅射在 600°C 制备低电阻非晶 In2O3:Sn 薄膜
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
M. Shiratani
中科院分区：
文献类型：
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作者：
N. Itagaki;Y. Mido;Z. Shen;N. Yamashita;T. Okumura;K. Kamataki;K. Koga;M. Shiratani
