Anomalous threshold voltage change by 2 MeV electron irradiation at 100 ℃ in deep submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
Anomalous threshold voltage change by 2 MeV electron irradiation at 100 ℃ in deep submicron metal-oxide-semiconductor field-effect transistors
复制标题
100 ℃ 2 MeV电子辐照深亚微米金属氧化物半导体场效应晶体管的异常阈值电压变化
DOI：
--
复制
发表时间：
2004
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
C.Claeys
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
H.K.Hayama;Ohyama;E.Simoen;J.M.Rafi;A.Mercha;C.Claeys
