Sputtering Yields of Si Bombarded with 10-540-keV C60 Ions
Sputtering Yields of Si Bombarded with 10-540-keV C60 Ions
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用 10-540-keV C60 离子轰击 Si 的溅射产率
DOI：
10.3390/qubs6010012
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发表时间：
2022
影响因子：
1.4
通讯作者：
Saitoh Yuichi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Narumi Kazumasa;Naramoto Hiroshi;Yamada Keisuke;Chiba Atsuya;Saitoh Yuichi
