Demonstration of first 9.2 kV 4H-SiC bipolar junction transistor
Demonstration of first 9.2 kV 4H-SiC bipolar junction transistor
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DOI：
10.1049/el:20046223
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发表时间：
2004-10
影响因子：
1.1
通讯作者：
Jianhui Zhang;Jian H. Zhao;P. Alexandrov;T. Burke
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Jianhui Zhang;Jian H. Zhao;P. Alexandrov;T. Burke
第一个演示是基于 50 µm、7×1014 cm−3 掺杂漂移层的高压 (9.2 kV) 4H-SiC 双极结型晶体管 (BJT)，在 VCEO=5 V 时实现 150 A/cm2 的发射极电流密度，表明在不考虑电流扩散的情况下，特定导通电阻 (RSP_ON) 为 33 mΩ cm2，如果考虑电流扩散，则为 49 mΩ cm2。该结果远远超过了之前 4H-SiC BJT 记录的 3.2 kV（RSP_ON=78 mΩ cm2）。
The first demonstration is reported of a high-voltage (9.2 kV) 4H-SiC bipolar junction transistor (BJT) based on a 50 µm, 7×1014 cm−3 doped drift layer, achieving an emitter current density of 150 A/cm2 at VCEO=5 V, suggesting a specific on-resistance (RSP_ON) of 33 mΩ cm2 without considering current spreading or 49 mΩ cm2 if current spreading is considered. The result far exceeds the previous 4H-SiC BJT record of 3.2 kV with RSP_ON=78 mΩ cm2.