Surface smoothing of SiGe strain-relaxed buffer layers by chemical mechanical polishing
Surface smoothing of SiGe strain-relaxed buffer layers by chemical mechanical polishing
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通过化学机械抛光对 SiGe 应变松弛缓冲层进行表面平滑
DOI：
10.1016/s0921-5107(01)00843-1
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发表时间：
2002
影响因子：
3.6
通讯作者：
Y. Shiraki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
K. Sawano;K. Kawaguchi;T. Ueno;S. Koh;K. Nakagawa;Y. Shiraki
