Analysis of Ti valence states in resistive switching regions of a rutile TiO2-x four-terminal memristive device
Analysis of Ti valence states in resistive switching regions of a rutile TiO2-x four-terminal memristive device
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金红石 TiO2-x 四端忆阻器件阻变区 Ti 价态分析
DOI：
10.7567/jjap.57.06kb02
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发表时间：
2018
影响因子：
1.5
通讯作者：
Sakai Akira
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yamaguchi Kengo;Takeuchi Shotaro;Tohei Tetsuya;Ikarashi Nobuyuki;Sakai Akira
