表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察
表面活性化接合Si/GaAs界面の平面TEM観察
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表面激活结 Si/GaAs 界面的平面 TEM 观察
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
大野裕
中科院分区：
文献类型：
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作者：
F. Hirose;K. Kanomata;M. Miura;K. Kikuchi;B. Ahmmad;S. Kubota;大野裕
