N-doped GeTe Chalcogenide Film for High-Performance Nonvolatile Phase-Change Memory
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用于高性能非易失性相变存储器的 N 掺杂 GeTe 硫族化物薄膜
DOI：
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发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
and S. Hosaka
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Yin;and S. Hosaka
