Oxidation Mechanism of Silicon Surface. Growth Kinetics of Very Thin Oxide Layers on Si(001) Surface Monitored in Real-time by Auger Electron Spectroscopy Combined with Reflection High Energy Electron Diffraction.
Oxidation Mechanism of Silicon Surface. Growth Kinetics of Very Thin Oxide Layers on Si(001) Surface Monitored in Real-time by Auger Electron Spectroscopy Combined with Reflection High Energy Electron Diffraction.
复制标题
硅表面的氧化机理。
DOI：
10.1380/jsssj.23.536
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发表时间：
2002
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y. Takakuwa
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Takakuwa
Ag原子在Si(111)7×7表面吸附和协同扩散形成簇的过程
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
--
作者：
冷清水裕子;泉水一紘;Jacek Osiecki;千葉朋;名取晃子;粕谷厚生;須藤彰三
通讯作者：
須藤彰三