Fabrication of 1.5μm GaInAsP LD on InP/Si substrate using hydrophilic wafer bonding technique
Fabrication of 1.5μm GaInAsP LD on InP/Si substrate using hydrophilic wafer bonding technique
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采用亲水晶圆键合技术在 InP/Si 衬底上制造 1.5μm GaInAsP LD
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
Y. Onuki and K. Shimomura
中科院分区：
文献类型：
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作者：
P. Gandhi Kallarasan;T. Nishiyama;N. Kamada;Y. Onuki and K. Shimomura
