X-ray topography of crystallographic defects in wide-bandgap semiconductors using a high-resolution digital camera
X-ray topography of crystallographic defects in wide-bandgap semiconductors using a high-resolution digital camera
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使用高分辨率数码相机对宽带隙半导体中的晶体缺陷进行 X 射线形貌分析
DOI：
10.35848/1347-4065/abd2dd
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发表时间：
2021
影响因子：
1.5
通讯作者：
Hirano Keiichi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Yao Yongzhao;Sugawara Yoshihiro;Ishikawa Yukari;Hirano Keiichi
