Impurity Doping in Silicon Nanowires
Impurity Doping in Silicon Nanowires
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DOI：
10.1002/adma.200900376
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发表时间：
2009-07-20
影响因子：
29.4
通讯作者：
Fukata, Naoki
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Fukata, Naoki
硅纳米线（SiNWs）具有相当大的潜力，以帮助实现下一代金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的垂直结构。杂质掺杂及其控制是制备硅纳米线器件的关键技术之一，因此有必要研究硅纳米线中掺杂原子的表征方法。在这篇研究新闻中，我们描述了如何检测掺杂剂原子硼和I磷的状态。
Silicon nanowires (SiNWs) have considerable potential to assist the realization of next-generation metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) with vertical structures. Impurity doping and its control is a key technique in the creation of SiNW devices, which renders it necessary to develop characterization methods for dopant atoms in SiNWs. In this Research News, we described how the states of the dopant atoms boron and I phosphorus can be detected.