Electric properties of 4H-SiC MIS devices with AlON/SiO_2 stacked gate dielectrics
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AlON/SiO_2堆叠栅介质的4H-SiC MIS器件的电性能
DOI：
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发表时间：
2007
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
et. al.
中科院分区：
文献类型：
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作者：
Y. Watanabe;et. al.
