MOSFETのドレイン-ソースとゲート-ドレイン間の非線形寄生容量を考慮したEF_2級発振器の設計
MOSFETのドレイン-ソースとゲート-ドレイン間の非線形寄生容量を考慮したEF_2級発振器の設計
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考虑MOSFET漏源极和栅漏间非线性寄生电容的EF_2类振荡器设计
DOI：
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发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
魏秀欽
中科院分区：
文献类型：
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作者：
内田東;中島樹咲果;羅イ森;魏秀欽
