Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用
Er層界面挿入によるNiシリサイドのショットキー障壁変調とSB-MOSFETへの応用
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通过插入Er层界面对镍硅化物进行肖特基势垒调制并应用于SB-MOSFET
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
岩井洋
中科院分区：
文献类型：
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作者：
細田亘;野口浩平;角嶋邦之;パールハット・アヘメト;筒井一生;杉井信之;服部健雄;岩井洋
