中村雅一: "Reduction of interface states of MOS structure using photo-CVD SiO_2 film by F_2 treatment" Extended abstract of the 21st conference on solid state devices an materials. 413-416 (1989)
中村雅一: "Reduction of interface states of MOS structure using photo-CVD SiO_2 film by F_2 treatment" Extended abstract of the 21st conference on solid state devices an materials. 413-416 (1989)
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Masakazu Nakamura：“通过 F_2 处理使用光 CVD SiO_2 薄膜减少 MOS 结构的界面态”第 21 届固态器件和材料会议的扩展摘要 413-416 (1989)。
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