SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
SiC酸化膜界面のパッシベーション技術
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SiC氧化膜界面钝化技术
DOI：
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发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
土方 泰斗
中科院分区：
文献类型：
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作者：
藤居大毅;枡谷聡士;大山幸希;武田秀俊;木村 豊;金 聖祐;嘉数 誠;土方 泰斗
