真空蒸着法によるBi 媒介Ge ナノドットの形成過程評価
真空蒸着法によるBi 媒介Ge ナノドットの形成過程評価
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真空蒸发法Bi介导Ge纳米点形成过程评价
DOI：
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发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹， 岡本浩
中科院分区：
文献类型：
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作者：
滝田健介，対馬和都;遠田義晴;俵毅彦，舘野功太，章国強，後藤秀樹， 岡本浩
