Performance of GaN Ionizing Detector and Its Radiation Hardness
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GaN电离探测器的性能及其抗辐射强度
DOI：
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发表时间：
2008
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
J.Kasagi
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Narita;Y.Chiba;D.Ichinose;T.Hitora;E.Yamaguchi;Y.Sakemi;M.Itoh;H.Yoshida;J.Kasagi
