Numerical simulation of contact resistance in organic field-effect transistors
Numerical simulation of contact resistance in organic field-effect transistors
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有机场效应晶体管接触电阻的数值模拟
DOI：
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发表时间：
2010
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
H.Naito
中科院分区：
文献类型：
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作者：
S.Nishigami;T.Nagase;T.Kobayashi;H.Naito
