K.Ohta,J.Sakano and S.Furukawa: "Formation of HighーCrystallineーQuality SiGe Layer by Ge and B CoーImplantation" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B41. (1991)
K.Ohta,J.Sakano and S.Furukawa: "Formation of HighーCrystallineーQuality SiGe Layer by Ge and B CoーImplantation" Nuclear Instruments and Methods in Physics Research. B41. (1991)
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K.Ohta、J.Sakano 和 S.Furukawa：“通过 Ge 和 B 共注入形成高品质 SiGe 层”，核仪器和物理研究方法 (1991)。
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