Siエピタキシャル成長プロセスにおける適応的な制約を用いたベイズ最適化
Siエピタキシャル成長プロセスにおける適応的な制約を用いたベイズ最適化
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在硅外延生长过程中使用自适应约束的贝叶斯优化
DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
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通讯作者：
長田圭一，沓掛健太朗，山本純，山下茂雄，小寺崇，永井勇太，堀川智之，松井孝太，竹内一郎，宇治原徹
中科院分区：
文献类型：
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作者：
He Zhu;Ren Togo;Takahiro Ogawa;Miki Haseyama;長田圭一，沓掛健太朗，山本純，山下茂雄，小寺崇，永井勇太，堀川智之，松井孝太，竹内一郎，宇治原徹
